蓝鲸TMT频道12月13日消息,据国外媒体报道,三星电子将对其中国西安芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。 这是三星西安闪存芯片项目的二期第二阶段投资,此前108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元,第一阶段投资约70亿美元,第二阶段为80亿美元。 早在2017年三星曾宣布,未来三年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。在此之前,三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元。 据悉,二期项目预计于2021年下半年竣工,建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元。 业内人士分析,三星此次投资正值全球内存市场预计于明年反弹之际。由于中国5G网络布局提速,对5G设备和网络需求的不断上升,明年全球内存芯片市场将出现反弹,因而加大中国芯片厂商的投资也是明智之举。
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